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12 questions
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- 1. Multiple Choice
Existen dos familias de Transistores de efecto de Campo.
JFET y MOSFET
FET y MOS
NFET y NMOS
NINGUNA
- 2. Multiple Choice
Que tipo de Transistores ocupan menos espacio dentro de un circuito Electrónico?
PNP
NOS
MOS
NPN
- 3. Multiple Choice
Que transistor es mas fácil de fabricar en la actualidad.
MODFET
MOSFET
JFET
NINGUNA
- 4. Multiple Choice
Los Transistores MOSFET soportan mayores voltajes.
Verdadero
Puede Ser
Falso
- 5. Multiple Choice
El eMOSFET se considera un dispositivo:
No conductor
Semiconductor
Conductor
Ninguno
- 6. Multiple Choice
¿Qué caracteriza al MOSFET?
Potencia
Impedancia
Conductancia
Corriente
- 7. Multiple Choice
La curva característica de transferencia del E-MOSFET difiere de la del JFET porque la curva inicia en VGS(umbral) en lugar de VGS(corte) sobre el eje horizontal y nunca corta el eje vertical. Por lo tanto, se puede concluir que:
No hay corriente en el drenaje cuando VGS > VGS(umbral)
No hay corriente en el drenaje hasta que VGS alcanza un cierto valor llamado voltaje de umbral
Se requiere un voltaje positivo de compuerta a fuente
Se requiere un voltaje negativo de compuerta a fuente
- 8. Multiple Choice
Por que son distinguidos los transistores de efecto de campo?
Por el aislamiento de drenador a puerta
Por el aislamiento entre canal y puerta
Por el aislamiento entre drenador y canal
- 9. Multiple Choice
Un material típico utilizado en la capa de la Compuerta de un MOS es es el Polisilicio.
Falso
Verdadero
- 10. Multiple Choice
Una de las consecuencias de tener un capa delgada de dióxido de silicio en la Compuerta de un MOS es:
Tener alta impedancia de entrada en el Drenador
Tener corriente casi cero en la Compuerta
Tener baja impedancia en la Compuerta
Tener alta impedancia en la Fuente
- 11. Multiple Choice
Si un MOSFET opera en la región de Saturación, entonces el incremento de la relación (W/L) nos permite:
incrementar de forma lineal la corriente iD
incrementar de forma cuadrática la corriente iD
disminuir de forma lineal la corriente iD
mantener constante la corriente iD
- 12. Multiple Choice
Si deseo controlar el valor RDS de la zona óhmica de un MOS, entonces debo:
Mantener constante el valor de VDS a un valor muy pequeño y variar VGS con valores mayores de VT.
Variar el valor de VDS con valores muy pequeños y mantener VGS constante a un valor mayor de VT.
Mantener constante el valor de VDS a un valor muy pequeño y variar VGS con valores menores a VT.
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